[发明专利]用于氮化镓装置的过电压保护和短路承受在审
| 申请号： | 201780027977.4 | 申请日： | 2017-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN109155521A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 桑迪普·R·巴尔 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 所描述实例包含方法、集成电路(110)和开关电路(100)，所述开关电路包含驱动器电路(116)和硅晶体管或其它电流源电路(102)，所述硅晶体管或其它电流源电路与氮化镓GaN或其它高电子迁移率第一晶体管(101)耦合。驱动器(116)在第一模式中操作以将控制电压信号(GC1)递送到所述第一晶体管(101)，且在第二模式中响应于检测到的与所述第一晶体管(101)相关联的过电压条件而操作以控制所述电流源电路(102)以从所述第一晶体管(101)传导汇点电流(12)以影响控制电压以至少部分地接通所述第一晶体管(101)。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 电流源电路 硅晶体管 开关电路 氮化镓 驱动器 控制电压信号 电子迁移率 过电压保护 过电压条件 驱动器电路 控制电压 耦合 短路 汇点 传导 集成电路 接通 关联 响应 检测 | ||
【主权项】：
1.一种电路，其包括：第一晶体管，其包含与第一电路节点耦合的第一漏极端子、第一源极端子和第一控制端子；电流源电路，其耦合于所述第一源极端子与第二电路节点之间；以及驱动器电路，其在第一模式中操作以将第一控制电压信号递送到所述第一控制端子，且在第二模式中响应于检测到的与所述第一晶体管相关联的过电压条件而操作以控制所述电流源电路从所述第一源极端子到所述第二电路节点传导汇点电流，以影响所述第一源极端子与所述第一控制端子之间的控制电压以至少部分地接通所述第一晶体管。
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