[发明专利]聚磺酰胺再分布组合物及其使用方法有效

专利信息
申请号: 201780028345.X 申请日: 2017-05-10
公开(公告)号: CN109312158B 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: 崔青州;本田奈绪 申请(专利权)人: 丹尼尔·J·纳罗奇;崔青州;本田奈绪
主分类号: C08L81/10 分类号: C08L81/10;C09D181/10;H01L21/469;H01L21/475;H01L21/027
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 武娟;郑霞
地址: 美国马*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及用于用作如在半导体和半导体包的制造中使用的再分布层的聚磺酰胺组合物。更具体地,本发明涉及用于再分布应用的光可成像的聚磺酰胺组合物。本发明还涉及该组合物在半导体制造中的用途。
搜索关键词: 聚磺酰胺 再分 组合 及其 使用方法
【主权项】:
1.一种光可成像的组合物,包含:a.至少一种具有式(1)的第一聚合物芳基磺酰胺:其中R1至R8是相同的或不同的,并且是氢、具有或不具有被取代到链中的一个或更多个杂原子的具有1个‑16个碳原子的支链的或无支链的、被取代的或未被取代的烷基基团、被取代的或未被取代的芳香族基团、被取代的或未被取代的杂芳香族基团、被取代的或未被取代的稠合芳香族基团或稠合杂芳香族基团、具有或不具有被取代到环状环中的一个或更多个杂原子的被取代的或未被取代的环烷基基团、卤素、硫族元素、氮族元素、硫的氧化物、磷的氧化物、硅、和硅的氧化物;Y是芳香族基团或芳香族基团的链,X是化学键、羰基基团、硫族元素、氮族元素、硫的氧化物、磷的氧化物、硅、或硅的氧化物;b.至少一种交联组分,c.至少一种光酸产生剂,和d.至少一种溶剂,其中所述组合物在被加工时具有小于4.0的介电常数。
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