[发明专利]蚀刻方法有效
| 申请号： | 201780028484.2 | 申请日： | 2017-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN109075068B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 渡边光;海老原良介 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种以高选择比对氮化硅区域进行蚀刻的方法。在该蚀刻方法中，将包括氮化硅区域和具有与氮化硅区域不同的组成的含硅区域的被处理体收纳在处理容器内，有选择地对氮化硅区域进行蚀刻。在第一步骤中，在处理容器内通过生成包含氢氟烃气体的处理气体的等离子体，在氮化硅区域和含硅区域上形成包含氢氟烃的沉积物，在第二步骤中，利用沉积物中包含的氢氟烃的自由基对氮化硅区域进行蚀刻。交替地反复进行第一步骤和第二步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻方法，其将包括氮化硅区域和具有与所述氮化硅区域不同的组成的含硅区域的被处理体收纳在处理容器内，有选择地对所述氮化硅区域进行蚀刻，所述蚀刻方法的特征在于，包括：通过在所述处理容器内生成包含氢氟烃气体的处理气体的等离子体，在所述氮化硅区域和所述含硅区域上形成包含氢氟烃的沉积物的第一步骤；和利用所述沉积物中所包含的氢氟烃的自由基，对所述氮化硅区域进行蚀刻的第二步骤，交替地反复进行所述第一步骤和所述第二步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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