[发明专利]双轴磁通栅装置有效
| 申请号： | 201780028531.3 | 申请日： | 2017-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN109196367B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 李德远;W·D·佛兰茨;R·A·杰克逊;A·M·加布雷希 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在所描述实例中，磁通栅装置(100)包含第一磁芯(112、114)及第二磁芯(152、154)。所述第一磁芯(112、114)具有从第一传感方向(120)偏离大于0度且小于90度的第一磁化方向(116、118)。所述第二磁芯(152、154)布置为正交于所述第一磁芯(112、114)。所述第二磁芯(152、154)具有从第二传感方向(160)偏离大于0度且小于90度的第二磁化方向(156、158)。 | ||
| 搜索关键词： | 双轴磁通栅 装置 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，其包括：半导体衬底；磁通栅装置，其形成于所述半导体衬底上方，所述磁通栅装置具有：第一磁芯，其具有从第一传感方向偏离大于0度且小于90度的第一磁化方向；第一传感线圈，其包含卷绕在所述第一磁芯周围的第一线圈部件，所述第一传感线圈限定垂直于所述第一线圈部件的所述第一传感方向；第二磁芯，其布置为正交于所述第一磁芯，所述第二磁芯具有从第二传感方向偏离大于0度且小于90度的第二磁化方向；以及第二传感线圈，其包含卷绕在所述第二磁芯周围的第二线圈部件，所述第二传感线圈限定垂直于所述第二线圈部件的所述第二传感方向；以及传感电路，其具有部分地形成于所述半导体衬底中且在所述磁通栅装置下方的晶体管，所述传感电路耦合到所述第一传感线圈及所述第二传感线圈。
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