[发明专利]电力用半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201780028691.8 | 申请日： | 2017-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN109075089B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 冈部博明;中西洋介 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/336;H01L21/768;H01L23/522;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 孙蕾 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 电极(1)设置于半导体层(11)上。聚酰亚胺层(12)具有配置于电极(1)上的开口部(OP)、且聚酰亚胺层(12)覆盖电极(1)的边缘而延伸至电极(1)上。铜层(13)在开口部(OP)内设置于电极(1)上，与电极(1)上的聚酰亚胺层(12)分离。铜引线(14)具有被接合于铜层(13)上的一端。 | ||
| 搜索关键词： | 电力 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电力用半导体装置(31、31V、32、33)，具备：半导体层(11)；电极(1)，设置于所述半导体层(11)上；聚酰亚胺层(12)，具有配置于所述电极(1)上的开口部(OP),且该聚酰亚胺层(12)覆盖所述电极(1)的边缘而延伸至所述电极(1)上；铜层(13)，在所述开口部(OP)内设置于所述电极(1)上，与所述电极(1)上的所述聚酰亚胺层(12)分离；以及铜引线(14)，具有被接合于所述铜层(13)上的一端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
