[发明专利]磁性隧道结

摘要

本发明涉及一种磁性隧道结，其包括：导电第一磁性电极，其包括磁性记录材料；导电第二磁性电极，其与所述第一电极隔开且包括磁性参考材料；及非磁性隧道绝缘体材料，其在所述第一电极与所述第二电极之间。所述第二电极的所述磁性参考材料包括合成反铁磁性构造，所述合成反铁磁性构造包括两个隔开的磁性区域，所述磁性区域中的一者比另一者更靠近所述隧道绝缘体材料。一个磁性区域包括极化器区域，所述极化器区域包括CoxFeyBz，其中“x”为0到90，“y”为10到90且“z”为10到50。所述CoxFeyBz直接抵靠所述隧道绝缘体。包括含Os材料的非磁性区域在所述两个隔开的磁性区域之间。所述另一磁性区域包括磁性含Co材料。本发明揭示其它实施例。

主权项

1.一种磁性隧道结，其包括：导电第一磁性电极，其包括磁性记录材料；导电第二磁性电极，其与所述第一电极隔开且包括磁性参考材料；非磁性隧道绝缘体材料，其在所述第一电极与所述第二电极之间；及所述第二电极的所述磁性参考材料包括合成反铁磁性构造，所述合成反铁磁性构造包括：两个隔开的磁性区域，所述磁性区域中的一者比另一者更靠近所述隧道绝缘体材料，所述一个磁性区域包括：极化器区域，其包括CoxFeyBz，其中“x”为0到90，“y”为10到90，且“z”为10到50；所述CoxFeyBz直接抵靠所述隧道绝缘体；元素W、元素Mo、元素Fe、CoaFebWc、CoaFebMoc及CoaFebTac中的至少一者，其直接抵靠所述CoxFeyBz，其中“a”为0到50，“b”为50到99，且“c”为1到50；及磁性CogFehBi，其直接抵靠元素W、元素Mo、元素Fe、CoaFebWc、CoaFebMoc及CoaFebTac中的所述至少一者，其中“g”为0到100，“h”为0到90，且“i”为0到50，其中“g”和“h”中的至少一者大于零；非磁性区域，其在所述两个隔开的磁性区域之间包括含Ir材料、含Ru材料、含Rh材料及含Os材料中的至少一者；含Ir材料、含Ru材料、含Rh材料及含Os材料中的所述至少一者直接抵靠元素Co；及所述另一磁性区域包括直接抵靠含Ir材料、含Ru材料、含Rh材料及含Os材料中的所述至少一者的磁性含Co材料。