[发明专利]层叠配线膜及薄膜晶体管元件

摘要

本发明涉及一种层叠配线膜，其具备包含电阻为10μΩcm以下的Cu或Cu合金的配线层、以及设于所述配线层的上层及下层中的至少一者的包含Cu与X元素的Cu‑X合金层，X元素为选自由Al、Mn、Zn以及Ni所组成的X群组中的至少一种，构成Cu‑X合金层的金属为特定的组成系。根据本发明的层叠配线膜，可提供一种电阻低、无利用CVD法的层间绝缘膜的SiOx成膜中的剥离、且即使进行400℃以上的高温热处理也无电阻上升的层叠配线膜。

主权项

1.一种层叠配线膜，其特征在于，具备：包含电阻为10μΩcm以下的Cu或Cu合金的配线层、以及设于所述配线层的上层及下层中的至少一者的包含Cu与X元素的Cu‑X合金层，所述X元素为选自由Al、Mn、Zn以及Ni所组成的X群组中的至少一种，构成所述Cu‑X合金层的金属为下述(1)～(5)中的任一组成系，配线图案的宽度为10μm以下：(1)只包含所述X群组中的一种元素，其含量为6at％以上且27at％以下。(2)包含4at％以上且15at％以下的Al，进而包含5at％以上且10at％以下的Mn。(3)包含5at％以上且10at％以下的Zn，进而包含5at％以上且26at％以下的Mn。(4)包含4at％以上且14at％以下的Zn，进而包含5at％以上且15at％以下的Al。(5)包含5at％以上且10at％以下的Al，进而包含2at％以上且10at％以下的Ni。