[发明专利]具有电子快门的图像传感器有效
| 申请号： | 201780029454.3 | 申请日： | 2017-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN109155322B | 公开（公告）日： | 2023-02-21 |
| 发明（设计）人： | E·曼德利;D·M·布瓦韦尔;N·博克 | 申请（专利权）人： | 因维萨热技术公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N25/78;H04N25/77;H04N25/771;H04N23/73;H04N25/59;H04N25/779;H04N25/65;H04N25/532 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 宿小猛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明在各种实施方案中公开了一种图像传感器以及所述图像传感器的相关操作方法。在一个实施方案中，图像传感器包括至少一个像素。所述至少一个像素包括晶体管以将溢流电容器耦接至浮动扩散节点。在低光照条件下，光电荷将被收集在浮动扩散中，但是基本上不进入溢流节点。在高光照条件下，光电荷将溢流到溢流节点中。还公开了其它传感器及相关操作。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电子 快门 图像传感器 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，包括：至少一个像素，所述至少一个像素包括晶体管以将溢流电容器耦接至浮动扩散节点；其中在低光照条件下，光电荷将被收集在浮动扩散中，但是基本上不进入溢流节点；并且其中在高光照条件下，光电荷将溢流到所述溢流节点中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
