[发明专利]制造应变绝缘体上半导体衬底的方法

摘要

本发明涉及制造应变绝缘体上半导体衬底的方法，所述方法包括：(a)提供包括单晶半导体层(12)的供体衬底(1)；(b)提供包括应变单晶半导体材料的表面层(20)的接收衬底(2)；(c)使所述供体衬底(1)与接收衬底(2)接合，介电层(13,22)位于界面处；(d)将所述单晶半导体层(12)从所述供体衬底转移至所述接收衬底；(e)通过超出所述应变半导体材料层(20)延伸到所述接收衬底(2)中的沟槽隔离(T)，从由所转移的单晶半导体层、所述介电层和所述应变半导体材料层形成的堆叠体切割下一部分，所述切割操作导致所述应变半导体材料中应变的弛豫，并且导致将所述应变的至少一部分施加至所转移的单晶半导体层。所述供体衬底(1)包括单晶载体衬底(10)、中间层(11)和所述单晶半导体层(12)，所述中间层(11)相对于载体衬底材料(10)和相对于所述单晶半导体层(12)的材料形成蚀刻停止层，步骤(d)包括转移所述单晶半导体层(12)、所述中间层(11)、所述载体衬底(10)的一部分(15)。在步骤(d)和(e)之间，实施相对于所述中间层(11)选择性地蚀刻所述载体衬底的所述部分(15)的第一操作和相对于所述单晶半导体层(12)选择性地蚀刻所述中间层(11)的第二操作。

主权项

1.制造应变绝缘体上半导体衬底的方法，所述方法包括：(a)提供包括单晶半导体层(12)的供体衬底(1)；(b)提供包括应变单晶半导体材料的表面层(20)的接收衬底(2)；(c)使所述供体衬底(1)与所述接收衬底(2)接合，介电层(13,22)位于界面处；(d)将所述单晶半导体层(12)从所述供体衬底转移至所述接收衬底；(e)通过超出所述应变半导体材料层(20)延伸到所述接收衬底(2)中的沟槽隔离(T)，从由所转移的单晶半导体层、所述介电层和所述应变半导体材料层形成的堆叠体切割下一部分，所述切割操作导致所述应变半导体材料中应变的弛豫，并且导致将所述应变的至少一部分施加至所转移的单晶半导体层；所述方法的特征在于：‑步骤(a)中提供的所述供体衬底(1)依次包括单晶载体衬底(10)、中间层(11)和所述单晶半导体层(12)，所述中间层(11)相对于载体衬底材料(10)和所述单晶半导体层(12)的材料形成蚀刻停止层，步骤(d)包括将所述单晶半导体层(12)、所述中间层(11)、所述载体衬底(10)的一部分(15)转移至所述接收衬底(2)；和‑在步骤(d)和(e)之间，实施相对于所述中间层(11)选择性地蚀刻所述载体衬底的所述部分(15)的第一操作和相对于所述单晶半导体层(12)选择性地蚀刻所述中间层(11)的第二操作。