[发明专利]在半导体基板上的层的形成

摘要

这里描述的是用于在基板上形成外延III‑V层的技术。在预清洁室中，通过用氢等离子体(或等离子体分解产物)处理基板，可以用钝化层代替天然氧层。在沉积室中，基板的温度可以升高到低于700℃的温度。在基板温度升高的同时，组V前体可以流入沉积室，以便将钝化层的氢封端(Si‑H)表面转变成砷封端(Si‑As)表面。在基板已经冷却之后，可以使组III前体和组V前体流动以形成成核层。最后，在升高的温度下，可以使组III前体和组V前体流动以形成体III‑V层。

主权项

1.一种在基板上生长外延III‑V层的方法，该方法包括：在预清洁室中，当基板处于第一温度T1时，将基板暴露于等离子体、等离子体分解产物、或等离子体和等离子体分解产物两者，以便从基板上移除自然氧化物，并在基板上形成钝化层，其中T1大于室温；在无氧环境中，(a)将基板从预清洁室转移到沉积室，和(b)将基板从T1冷却到第二温度T2；和在沉积室中，(a)将基板从T2加热到第三温度T3，以移除基板上的钝化层，和(b)在基板上生长外延III‑V层，其中50℃

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