[发明专利]石英玻璃坩埚及其制造方法有效
| 申请号： | 201780030570.7 | 申请日： | 2017-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN109563639B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 岸弘史;福井正德 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C03B20/00;C30B15/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郭煜;杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够经受多次提拉等极长时间的单晶提拉工序的石英玻璃坩埚及其制造方法。石英玻璃坩埚(1)具备：高铝含量层(14B)，由铝平均浓度相对高的石英玻璃制成，并且设置成构成石英玻璃坩埚(1)的外表面(10b)；以及低铝含量层(14A)，由铝平均浓度比高铝含量层(14B)低的石英玻璃制成，并且设置在高铝含量层(14B)的内侧，低铝含量层(14A)包括由含有许多微小气泡的石英玻璃制成的不透明层(11)，高铝含量层(14B)由气泡含有率比不透明层(11)低的透明或半透明的石英玻璃制成。 | ||
| 搜索关键词： | 石英玻璃 坩埚 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种石英玻璃坩埚，其为单晶硅提拉用石英玻璃坩埚，该石英玻璃坩埚的特征在于，具备：高铝含量层，由铝平均浓度相对高的石英玻璃制成，并且设置成构成所述石英玻璃坩埚的外表面；以及低铝含量层，由铝平均浓度比所述高铝含量层低的石英玻璃制成，并且设置在所述高铝含量层的内侧，所述低铝含量层包括由含有许多微小气泡的石英玻璃制成的不透明层，所述高铝含量层由气泡含有率比所述不透明层低的透明或半透明的石英玻璃制成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胜高股份有限公司，未经胜高股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780030570.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：适用于三维半导体元件外延生长的成核结构
- 下一篇：温度不敏感介电常数石榴石
