[发明专利]改善高度发光的纳米结构的核/壳量子点形态的方法有效
| 申请号： | 201780030780.6 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN109312228B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | W·郭;C·伊彭;C·霍茨;R·比勒;J·林奇;阚世海;J·特拉斯基尔;涂明虎 | 申请（专利权）人： | 纳米系统公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/56;C09K11/70;C09K11/88 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈文平;侯宝光 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了包含纳米晶核的高度发光的纳米结构，特别是高度发光的量子点。还提供了增加纳米结构的球形度的方法，包括使纳米晶核经受酸蚀刻步骤、退火步骤或酸蚀刻步骤和退火步骤的组合。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 高度 发光 纳米 结构 量子 形态 方法 | ||
【主权项】：
1.一种产生纳米结构的方法，包括：(a)使纳米晶核与有机酸接触，其中所述纳米晶核与所述有机酸的摩尔比为约1：1至约1：1000；和(b)在约50℃至约250℃的温度下加热(a)以提供纳米结构。
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