[发明专利]半导体有效
申请号: | 201780030802.9 | 申请日: | 2017-05-15 |
公开(公告)号: | CN109153772B | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | P·哈约兹;D·克尔布莱因 | 申请(专利权)人: | CLAP有限公司 |
主分类号: | C08G61/12 | 分类号: | C08G61/12;H01L51/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 肖威;刘金辉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明涉及包含一种式‑[Ar |
||
搜索关键词: | 半导体 | ||
【主权项】:
1.一种聚合物,其包含下式的重复单元:‑[Ar3]c‑[Ar2]b‑[Ar1]a‑Y(R1)n1(R2)n2‑[Ar1’]a’‑[Ar2’]b’‑[Ar3’]c’‑(I)其中:a为0、1、2或3,a’为0、1、2或3;b为0、1、2或3;b’为0、1、2或3;c为0、1、2或3;c’为0、1、2或3;n1为1或2,n2为1或2,Y为可任选取代的二价杂环基或环体系,Ar1、Ar1’、Ar2、Ar2’、Ar3及Ar3’彼此独立地为可任选取代的C6‑C24亚芳基或可任选取代的C2‑C20亚杂芳基;R1及R2在每次出现时彼此独立地为氢、C5‑C12环烷基、COR38、C1‑C50烷基、C3‑C50烯基或C3‑C50炔基,其可任选被以下基团取代一或多次:C1‑C12烷氧基、卤素、C5‑C8环烷基、氰基、C6‑C24芳基、C2‑C20杂芳基或甲硅烷基;和/或可任选进一步被一个或多个以下基团间隔:‑O‑、‑S‑、‑NR39‑、‑CONR39‑、‑NR39CO‑、‑COO‑、‑CO‑或‑OCO‑,或者为下式的基团:
i为1‑18的整数,R70、R71及R72彼此独立地为氢、C1‑C50烷基、C5‑C12环烷基、C6‑C24芳基、C2‑C20杂芳基、C2‑C50烯基或C2‑C50炔基,其可任选被以下基团取代一或多次:C1‑C12烷氧基、卤素(尤其是F)、C5‑C8环烷基、氰基、C6‑C24芳基、C2‑C20杂芳基或甲硅烷基;和/或可任选进一步被一个或多个以下基团间隔:‑O‑、‑S‑、‑NR39‑、‑CONR39‑、‑NR39CO‑、‑COO‑、‑CO‑或‑OCO‑;条件是取代基R70、R71及R72中的至少一个不同于氢;R38为C1‑C50烷基、C2‑C50烯基、C2‑C50炔基或C1‑C50烷氧基,其可任选被以下基团取代一或多次:C1‑C12烷氧基、卤素、C5‑C8环烷基、氰基、C6‑C24芳基、C2‑C20杂芳基或甲硅烷基;和/或可任选进一步被一个或多个以下基团间隔:‑O‑、‑S‑、‑NR39‑、‑CONR39‑、‑NR39CO‑、‑COO‑、‑CO‑或‑OCO‑,且R39为氢、C1‑C25烷基、C1‑C18卤代烷基、C7‑C25芳烷基或C1‑C18酰基,条件是R1及R2中的至少一个为式(II)基团。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于CLAP有限公司,未经CLAP有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780030802.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:导电聚合物组合物中的二杂胺
- 下一篇:梯形聚苯并二呋喃