[发明专利]过压保护系统和方法在审

专利信息
申请号: 201780031628.X 申请日: 2017-04-25
公开(公告)号: CN109155630A 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: H·I·奥博塔;S·P·马内;T·奥布莱恩;C·G·斯珀克 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H03K19/003 分类号: H03K19/003;H03K19/0185
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 唐杰敏;陈炜
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 公开了过压保护系统和方法。在一个方面,向通用串行总线(USB)Type‑C规范所要求的在配置控制(CC)引脚处预先存在的钳添加偏置电路。该偏置电路将该预先存在的钳转变为动态地适应于过压状况的可调整钳。在示例性方面,该偏置电路可包括偏置场效应晶体管(FET)和开关对,该开关对将该预先存在的钳和该偏置FET选择性地耦合到固定电压,以使得该CC引脚被维持在可接受的电压。在另一示例性方面,该偏置电路可以省略该偏置FET并且依靠两个开关,这两个开关将该预先存在的钳耦合到固定电压,以使得该CC引脚被维持在可接受的电压。
搜索关键词: 偏置电路 过压保护系统 固定电压 可接受 耦合到 偏置 引脚 偏置场效应晶体管 通用串行总线 配置控制 可调整 引脚处 省略
【主权项】:
1.一种设备,包括:通用串行总线(USB)插槽,其被配置成容纳USB电缆,所述USB插槽包括配置控制(CC)引脚;第一场效应晶体管(FET),其包括第一源极、第一漏极和第一栅极,所述第一源极耦合至所述CC引脚且所述第一漏极耦合至接地;第二FET,其包括第二源极、第二漏极和第二栅极,所述第二栅极在公共节点处耦合至所述第一栅极和所述第二漏极;第一开关,其耦合至所述第二源极并且将所述第二源极选择性地耦合至内部电压源(Vaa);以及第二开关,其耦合至所述公共节点并且将所述公共节点选择性地耦合至外部电压源(Vconn);并且其中在第一操作模式中,所述第一开关和所述第二开关两者均断开且所述CC引脚被钳位在高于接地的第一Vgs,并且其中在第二操作模式中,所述第一开关和所述第二开关中只有一者断开且所述CC引脚被钳位在对应的第一电压或第二电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司,未经高通股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780031628.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top