[发明专利]用于石英玻璃坩埚晶体生长工艺的失透剂在审
| 申请号： | 201780031632.6 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN109154102A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 理查德·李·汉森 | 申请（专利权）人： | 莫门蒂夫性能材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 刘明海;胡彬 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本技术提供了一种具有比先前的失透剂改善的效率的用于坩埚的失透剂，其适用于各种技术领域，包括半导体和光伏应用。该失透剂可以包括(a)钡，和(b)钽、钨、锗、锡或其两种或更多种的组合。该失透剂可以在构造期间掺入坩埚中，涂覆于成品坩埚的表面，和/或添加到用于拉晶的硅熔体中。本文所述的技术改善了抗流挂性并提供了失透表面以用于硅晶体生长期间液态硅熔体更慢、更受控地溶解二氧化硅。 | ||
| 搜索关键词： | 失透 坩埚 晶体生长工艺 石英玻璃坩埚 二氧化硅 光伏应用 抗流挂性 硅晶体 硅熔体 液态硅 掺入 拉晶 熔体 受控 涂覆 半导体 溶解 生长 | ||
【主权项】：
1.一种坩埚，包括具有底壁和侧壁的玻璃状石英体，所述侧壁从底壁向上延伸并限定用于容纳熔融硅材料的空腔，所述侧壁结构和所述底壁各自具有内表面和外表面，所述坩埚包括包含(a)选自钡的第一金属和(b)选自钽、钨、锗、锡或其两种或更多种的组合的第二金属的失透剂。
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