[发明专利]用于减少的非辐射侧壁复合的LED结构有效
| 申请号： | 201780031841.0 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN109155345B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | D·P·布尔;K·麦格罗迪;D·A·黑格尔;J·M·珀金斯;A·查克拉博蒂;J-J·P·德罗莱特;D·S·斯佐夫 | 申请（专利权）人： | 苹果公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED结构，其用于减少沿竖直LED的侧壁的非辐射侧壁复合，该竖直LED包括跨顶部电流扩展层、底部电流扩展层和顶部电流扩展层与底部电流扩展层之间的有源层的p‑n二极管侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减少 辐射 侧壁 复合 led 结构 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管(LED)，包括：p‑n二极管层，包括：顶部掺杂层，所述顶部掺杂层掺杂有第一掺杂物类型；底部掺杂层，所述底部掺杂层掺杂有与所述第一掺杂物类型相反的第二掺杂物类型；有源层，所述有源层在所述顶部掺杂层与所述底部掺杂层之间；和p‑n二极管层侧壁，所述p‑n二极管层侧壁跨所述顶部掺杂层、所述有源层和所述底部掺杂层；其中所述有源层的侧向边缘被内部地限制在所述p‑n二极管层侧壁的内部。
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