[发明专利]用于闪存存储器装置的非对称感测放大器及相关方法有效
| 申请号： | 201780032043.X | 申请日： | 2017-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN109155138B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | H.V.陈;A.李;T.武 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术公司 |
| 主分类号： | G11C7/08 | 分类号： | G11C7/08;G11C8/12;G11C11/34;G11C11/56;G11C16/04;G11C16/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张凌苗;闫小龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于闪存存储器装置中的读取操作的改进的感测放大器及相关方法。在一个实施方案中，所述感测放大器包括内置电压偏移。在另一个实施方案中，通过使用电容器在所述感测放大器中感生电压偏移。在另一个实施方案中，所述感测放大器为参考信号使用具有斜率的定时以增大相比参考单元从选择的单元汲取的电流检测“0”或“1”时的裕度。在另一个实施方案中，感测放大器在无任何电压偏移的情况下使用。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 闪存 存储器 装置 对称 放大器 相关 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器装置，包括：闪存存储器单元的第一阵列；闪存存储器单元的第二阵列；感测放大器，所述感测放大器在读取操作期间耦合到所述第一阵列中的选择的闪存存储器单元以及所述第二阵列中的虚拟闪存存储器单元，所述感测放大器包括：比较器，所述比较器用于将耦合到所述选择的闪存存储器单元的选择的位线与耦合到所述虚拟闪存存储器单元的虚拟位线进行比较；用于将偏置电压施加到所述选择的位线的第一电路，以及用于将偏置电压施加到所述虚拟位线的第二电路；以及内置感测偏移。
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