[发明专利]用于在处理设备中分离功率域的系统和方法在审
| 申请号： | 201780032333.4 | 申请日： | 2017-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN109155300A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | S·拉杰;S·R·钱德拉塞卡兰;邱立;A·特亚吉;M·菲利普;R·弗玛 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/525;H01L23/50;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种系统，包括：被建立在半导体衬底上的处理核，处理核具有第一子核和第二子核，第一子核和第二子核中的每个核被配置为执行处理功能；以及多个功率轨，多个功率轨穿过处理核的尺寸并且从第一子核跨越到第二子核，功率轨中的每个功率轨被配置为向第一子核和第二子核提供操作电压，并且其中第一子核与第二子核之间的边界被不规则地成形，并且其中第一子核和第二子核中的每个子核与相应的功率域对应。 | ||
| 搜索关键词： | 功率轨 处理核 功率域 操作电压 处理功能 处理设备 不规则 衬底 成形 配置 半导体 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种系统，包括：处理核，所述处理核被建立在半导体衬底上，所述处理核具有第一子核和第二子核，所述第一子核和所述第二子核中的每个子核被配置为执行处理功能；以及多个功率轨，所述多个功率轨穿过所述处理核的尺寸并且从所述第一子核跨越到所述第二子核，所述功率轨中的每个功率轨被配置为向所述第一子核和所述第二子核提供操作电压，其中在所述第一子核与所述第二子核之间的边界被不规则地成形，以及其中所述第一子核和所述第二子核中的每个子核与相应的功率域对应。
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