[发明专利]CHA型沸石和其制造方法有效
| 申请号： | 201780032379.6 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN109195911B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 前浜诚司;青山英和;中村聪 | 申请（专利权）人： | 东曹株式会社 |
| 主分类号： | C01B39/48 | 分类号： | C01B39/48;B01J29/70 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供：与以往的CHA型沸石、特别是仅使用ADA盐作为有机结构导向剂而得到的以往的CHA型沸石相比，更适于催化剂、催化剂载体的高结晶性的CHA型沸石。一种CHA型沸石，其为如下沸石中的任意者：二氧化硅相对于氧化铝的摩尔比为10.0以上且低于20.0和硅烷醇基相对于硅的摩尔比为0.15×10 |
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| 搜索关键词： | cha 型沸石 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CHA型沸石，其为如下沸石中的任意者：二氧化硅相对于氧化铝的摩尔比为10.0以上且低于20.0并且硅烷醇基相对于硅的摩尔比为0.15×10‑2以上且0.50×10‑2以下，二氧化硅相对于氧化铝的摩尔比为20.0以上且35.0以下并且硅烷醇基相对于硅的摩尔比为0.15×10‑2以上且1.10×10‑2以下，二氧化硅相对于氧化铝的摩尔比为超过35.0且45.0以下并且硅烷醇基相对于硅的摩尔比为0.15×10‑2以上且1.65×10‑2以下，或二氧化硅相对于氧化铝的摩尔比为超过45.0且55.0以下并且硅烷醇基相对于硅的摩尔比为0.15×10‑2以上且1.80×10‑2以下。
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