[发明专利]金属氮氧化物半导体膜的制造方法及金属氮氧化物半导体膜在审
| 申请号： | 201780032385.1 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN109196626A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 青木健志;中田邦彦 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/363 | 分类号： | H01L21/363;C01G9/00;C23C14/06;C23C14/34;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;焦成美 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及的金属氮氧化物半导体膜的制造方法中，将选自锌及锡中的至少1种金属元素的氧化物溅射靶材在包含80体积％以上的氮气的气氛气体中在1.5Pa以下的压力条件下供于溅射。 | ||
| 搜索关键词： | 金属氮氧化物 半导体膜 氮气 溅射靶材 金属元素 气氛气体 压力条件 氧化物 溅射 制造 | ||
【主权项】：
1.金属氮氧化物半导体膜的制造方法，所述金属氮氧化物半导体膜包含锌及锡中的至少一者、氧和氮，所述制造方法的特征在于，将选自锌及锡中的至少1种金属元素的氧化物溅射靶材在包含80体积％以上的氮气的气氛气体中在1.5Pa以下的压力条件下供于溅射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
