[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体装置的制造装置

摘要

课题在于提高半导体装置制造中的生产率。具体而言，构成为具有如下的工序：使形成在临时基板上所配置的半导体芯片(54)的第1主面上的电极焊盘(55)与形成在新的半导体芯片(4)的第2主面上的凸起(5)对置并借助第1粘接剂(7)进行临时配置而得到多个临时配置体(8)；然后对临时配置体(8)中的半导体芯片(4)与半导体芯片(54)的位置偏移进行检查，将位置偏移在规定的范围内的临时配置体(8)确定为选择临时配置体；将一部分的选择临时配置体从临时基板分离并使其重叠在临时基板上所残留的选择临时配置体上，借助第2粘接剂(107)进行临时配置而得到多层临时配置体(108)；然后进行连接工序，一并对多层临时配置体(108)中的各半导体芯片进行加热、加压而将半导体芯片间的凸起与电极焊盘电连接，并且使半导体芯片间的第1和第2粘接剂硬化。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，将半导体芯片多层层叠而制造半导体装置，其特征在于，在各半导体芯片的第1主面上形成有电极焊盘，在第2主面上形成有凸起，该半导体装置的制造方法具有如下的工序：(A)配置工序，使第1主面朝上而将多个半导体芯片配置在临时基板上；(B)临时配置工序，得到多个临时配置体，该临时配置体是使形成在新的半导体芯片的第2主面上的凸起与形成在所述临时基板上所配置的半导体芯片的第1主面上的电极焊盘对置并借助第1粘接剂进行临时配置而成的；(C)检查工序，对所述临时配置体中的新的半导体芯片的凸起和与该凸起对置的所述电极焊盘的位置偏移进行检查，将具有所述位置偏移在规定的范围内的新的半导体芯片的临时配置体确定为选择临时配置体；(D)多层临时配置工序，得到多层临时配置体，该多层临时配置体是将一部分的所述选择临时配置体从所述临时基板分离，使形成在该分离的选择临时配置体的最下层的半导体芯片的第2主面上的凸起与形成在所述临时基板上的选择临时配置体中的最上层的半导体芯片的第1主面上的电极焊盘对置并借助第2粘接剂进行临时配置而成的；以及(E)连接工序，一并对所述多层临时配置体中的各半导体芯片进行加热、加压而将半导体芯片间的凸起与电极焊盘电连接，并且使半导体芯片间的所述第1粘接剂和所述第2粘接剂硬化。