[发明专利]铁电装置及形成铁电装置的方法有效
| 申请号： | 201780032702.X | 申请日： | 2017-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN109196654B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | A·A·恰范;R·甘地;B·R·库克;D·V·N·拉马斯瓦米 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/66;H01L29/51;H01L21/28;H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一些实施例包含一种铁电装置，所述铁电装置包括邻近电极的铁电材料。所述装置包含沿着所述铁电材料最接近所述电极的表面的含半导体材料的区域。与所述铁电材料的其余部分相比，所述含半导体材料的区域具有较高半导体材料浓度。举例来说，所述装置可为晶体管或电容器。所述装置可并入到存储器阵列中。一些实施例包含一种形成铁电电容器的方法。在第一电极上方形成含氧化物的铁电材料。在所述含氧化物的铁电材料上方形成第二电极。邻近所述第二电极形成所述含氧化物的铁电材料的富含半导体材料的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铁电装置，其包括：铁电材料，其邻近电极；及含半导体材料的区域，其沿着所述铁电材料最接近所述电极的表面；与所述铁电材料的其余部分相比，所述含半导体材料的区域具有较高半导体材料浓度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780032702.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
