[发明专利]用于电化学感测、电容感测和场发射感测的基于纳米结构阵列的传感器在审
| 申请号： | 201780033037.6 | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN109641742A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 瓦卡斯·哈利德 | 申请（专利权）人： | 瓦卡斯·哈利德 |
| 主分类号： | B82Y25/00 | 分类号： | B82Y25/00;B81C1/00;G11C5/10;H01G4/30;H01L23/52;H05K3/46 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐晶;杨思捷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及通过利用各种电化学光谱法、电容和场发射技术利用单独可寻址的纳米结构阵列作为纳米电极进行多分析物电化学感测。在某些方面，本发明提供了包括在基片上呈阵列的至少两个单独可寻址的纳米结构的器件和布置及其用途。在其他某些方面，本发明的特征在于包括该器件和芯片座并且还包括硬件和软件的系统。 | ||
| 搜索关键词： | 感测 电化学 纳米结构阵列 单独可寻址 电容 场发射 多分析物 技术利用 纳米电极 纳米结构 光谱法 芯片座 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种在基片(201)上呈阵列的至少两个单独可寻址的纳米结构(207)的布置，其中基片(201)不导电，其中在基片内有导电部(208)，其中所述导电部形成与纳米结构(207)的电触点，形成呈阵列的单独可寻址的纳米结构，其中纳米结构(207)经由第一基片(201)中的导电部(208)单独地与不导电基片(201)的第一面(202)上的导电路径(403)和第二基片(209)中的导电结构(210)连接，其中所述纳米结构(207)被介质(3000)覆盖，并且其中当在所述至少两个纳米结构(207)之间施加电压(900)时，在所述纳米结构之间产生电场或电磁场并在所述纳米结构之间形成电容(700)。
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