[发明专利]半导体装置及制造方法有效
| 申请号： | 201780033306.9 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109314134B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 吉田崇一 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/322;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 齐雪娇;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置，具备：半导体基板；晶体管部，其设置于半导体基板，且在半导体基板的上表面侧具有第一导电型的发射区，在半导体基板的下表面侧具有第二导电型的集电区；二极管部，其设置于半导体基板，且在半导体基板的下表面侧具有第一导电型的阴极区；边界部，其在半导体基板设置于晶体管部与二极管部之间，在半导体基板的上表面侧不具有发射区，在半导体基板的背面侧具有集电区，晶体管部具有一个以上的栅极沟槽部，所述栅极沟槽部从半导体基板的上表面起设置到比发射区深的位置为止，且被施加栅极电位，在二极管部和边界部的一部分区域，在半导体基板的上表面侧设置有上表面侧寿命减少区，在与半导体基板的上表面平行的面的与晶体管部的栅极沟槽部重叠的区域，未设置上表面侧寿命减少区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；晶体管部，其设置于所述半导体基板，且在所述半导体基板的上表面侧具有第一导电型的发射区，在所述半导体基板的下表面侧具有第二导电型的集电区；二极管部，其设置于所述半导体基板，且在所述半导体基板的下表面侧具有第一导电型的阴极区；以及边界部，其在所述半导体基板设置于所述晶体管部与所述二极管部之间，在所述半导体基板的上表面侧不具有所述发射区，在所述半导体基板的背面侧具有所述集电区，所述晶体管部具有一个以上的栅极沟槽部，所述栅极沟槽部从所述半导体基板的上表面起设置到比所述发射区深的位置为止，且被施加栅极电位，在所述二极管部和所述边界部的一部分区域，在所述半导体基板的上表面侧设置有上表面侧寿命减少区，且在与所述半导体基板的上表面平行的面的与所述晶体管部的所述栅极沟槽部重叠的区域，未设置所述上表面侧寿命减少区。
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