[发明专利]对准系统晶片堆叠光束分析器有效
| 申请号： | 201780034179.4 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN109313402B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | K·修姆;I·M·P·阿尔茨;J·L·克鲁泽;I·策玛 | 申请（专利权）人： | ASML控股股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种对准系统获得从晶片堆叠返回的光的特性。光束分析器测量波长、偏振和光束轮廓的变化。该测得信息允许在线工艺变化校正。校正提供单个标记堆叠变化的光学监控，并接着提供信息以减小单个标记工艺变化诱发的精确性误差。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 系统 晶片 堆叠 光束 分析器 | ||
【主权项】：
1.一种对准系统，包括：辐射源，被配置用于产生光；物镜投影系统，被配置用于接收所产生的光并且引导所产生的光朝向其上具有多个目标的衬底；光学分束器，被配置用于从所述衬底接收光并且将所接收的光分成第一光束和第二光束；光束分析器，被配置用于测量所述第一光束；干涉仪，被配置用于基于已经从所述衬底上的所述图案反射的所述第二光束以及参考光束，产生干涉图案；检测器，被配置用于从所述干涉仪接收所述干涉图案；以及处理器，被配置用于接收并且处理所述干涉图案和所述第一光束的测量，以及指引所述对准系统在基于处理结果的位置处放置所述衬底。
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