[发明专利]具有多沟道长度的垂直场效应晶体管器件有效
| 申请号： | 201780034256.6 | 申请日： | 2017-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN109314140B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | R·维尼加拉;R·A·维加;H·马莱拉 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：布置在半导体衬底(102)上的第一源/漏区(802)，布置在半导体衬底(102)上的第二源/漏区(1002)，布置在所述第一源/漏区(802)上的底部间隔物(1602)，布置在所述第二源/漏区(1002)上的底部间隔物(1602)。具有第一长度(L1)的第一栅极堆叠(2602a)布置在所述第一源/漏区(802)上，具有第二长度(L2)的第二栅极堆叠(2602b)布置在所述第二源/漏区(1002)上，所述第一长度(L1)小于所述第二长度(L2)。布置在所述第一栅极堆叠(2602a)上的顶部间隔物(2702)，以及布置在所述第二栅极堆叠(2702b)上的顶部间隔物(2702)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟道 长度 垂直 场效应 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成第一源/漏区和第二源/漏区；在所述衬底上形成第一沟道区和第二沟道区；在所述第一源/漏区和所述第二源/漏区上形成底部间隔物；在所述第一沟道区的侧壁上形成第一栅极堆叠，在所述第二沟道区的侧壁上形成第二栅极堆叠；在所述底部间隔物的暴露部分上方以及围绕所述第一栅极堆叠和所述第二栅极堆叠形成栅极导体层；去除与所述第一栅极堆叠相邻的所述栅极导体层的一部分；去除与所述第二栅极堆叠相邻的所述栅极导体层的一部分，使得所述栅极导体具有与所述第一栅极堆叠相邻的第一厚度和与所述第二栅极堆叠相邻的第二厚度，所述第一厚度小于所述第二厚度；去除部分所述第一栅极堆叠和所述第二栅极堆叠以暴露部分所述第一沟道区和所述第二沟道区；在所述第一沟道区和所述第二沟道区的暴露部分上方形成牺牲间隔物；去除所述栅极导体层的暴露部分以暴露部分所述底部隔离物；在所述第一栅极堆叠和所述第二栅极堆叠上方沉积顶部间隔物；去除所述第一沟道区的暴露部分以在所述顶部间隔物中形成空腔；以及在所述顶部间隔物和层间介电层的空腔中形成第三源/漏区。
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