[发明专利]用于真空环境的高亮度含硼电子束发射器在审
| 申请号： | 201780034257.0 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN109314026A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | W·G·舒尔茨;G·德尔加多;F·希尔;E·加西亚（贝里奥斯）;R·加西亚 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J33/04 | 分类号： | H01J33/04;G21K5/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种发射器，其含有金属硼化物材料，所述发射器具有拥有1μm或更小的半径的至少部分圆形尖端。可施加电场到所述发射器，且从所述发射器产生电子束。为形成所述发射器，从单晶棒移除材料以形成含有金属硼化物材料的发射器，其具有拥有1μm或更小的半径的圆形尖端。 | ||
| 搜索关键词： | 发射器 金属硼化物 圆形尖端 电子束 电子束发射器 移除材料 真空环境 电场 单晶棒 施加 | ||
【主权项】：
1.一种设备，其包括：发射器，其含有金属硼化物材料，其中所述发射器具有拥有1μm或更小的半径的至少部分圆形尖端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科磊股份有限公司，未经科磊股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780034257.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：离子源以及离子注入装置
- 下一篇：场发射装置和重整处理方法
