[发明专利]蚀刻方法

摘要

本发明的蚀刻方法，通过对被处理体进行等离子体处理，相对于由氮化硅形成的第2区域(R2)，有选择地蚀刻由氧化硅形成的第1区域(R1)，其中，被处理体具有划成凹部的第2区域(R2)、填埋该凹部的第1区域(R1)、和设置在第1区域(R1)上的掩模(MK)，该蚀刻方法包括：生成包含碳氟化合物气体的处理气体的等离子体的第1步骤；和利用沉积物中所含的碳氟化合物的自由基对第1区域进行蚀刻的第2步骤，在第2步骤中脉冲波状地施加有助于等离子体的形成的高频电功率，反复执行第1步骤和第2步骤。

主权项

1.一种蚀刻方法，其通过对被处理体进行等离子体处理，相对于由氮化硅形成的第2区域，有选择地蚀刻由氧化硅形成的第1区域，所述蚀刻方法的特征在于：所述被处理体包括：形成有凹部的所述第2区域；以填埋该凹部并且覆盖所述第2区域的方式设置的所述第1区域；和设置于所述第1区域上的掩模，该掩模在所述凹部之上具有宽度比该凹部的宽度宽的开口，所述蚀刻方法包括：第1步骤，在收纳有所述被处理体的处理容器内生成包含碳氟化合物气体的处理气体的等离子体，在所述被处理体上形成包含碳氟化合物的沉积物；和第2步骤，利用所述沉积物中所包含的碳氟化合物的自由基对所述第1区域进行蚀刻，在该步骤中脉冲波状地施加有助于所述等离子体的形成的高频电功率，反复执行包含所述第1步骤和所述第2步骤的流程。