[发明专利]锂离子二次电池用负极活性物质的制造方法在审

专利信息
申请号: 201780034892.9 申请日: 2017-04-06
公开(公告)号: CN109314235A 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 高野义人;木崎哲朗;近藤正一 申请(专利权)人: 捷恩智株式会社;捷恩智石油化学株式会社
主分类号: H01M4/48 分类号: H01M4/48;C01B33/113;H01M4/36
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 李艳;臧建明
地址: 日本东京千代田区大手町二丁*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种以高生产性制造具有充放电循环劣化得到极度抑制的、高电容且优异的充放电特性的二次电池用负极活性物质的方法。一种锂离子二次电池用负极活性物质的制造方法,所述锂离子二次电池用负极活性物质包含硅‑钛氧化物复合物,所述锂离子二次电池用负极活性物质的制造方法的特征在于:所述锂离子二次电池用负极活性物质中所含的硅‑钛氧化物复合物是通过将氧化钛被覆于硅氧化物而获得,所述硅氧化物是对倍半硅氧烷聚合物(PSQ)在惰性气体环境下进行热处理而获得,且由通式SiOxCyHz(0.5<x<1.8、0≤y<5、0≤z<0.4)表示,所述倍半硅氧烷聚合物(PSQ)是使硅化合物进行水解及缩聚反应而获得,且具有下述式(1)的结构,在对所述硅氧化物被覆氧化钛后,在还原性气体环境下进行热处理。
搜索关键词: 负极活性物质 锂离子二次电池 硅氧化物 式( 1 ) 倍半硅氧烷聚合物 热处理 钛氧化物 复合物 氧化钛 制造 还原性气体环境 惰性气体环境 充放电特性 充放电循环 二次电池 高生产性 硅化合物 缩聚反应 高电容 劣化 水解
【主权项】:
1.一种锂离子二次电池用负极活性物质的制造方法,所述锂离子二次电池用负极活性物质包含硅‑钛氧化物复合物,所述锂离子二次电池用负极活性物质的制造方法的特征在于:所述硅‑钛氧化物复合物是通过将氧化钛被覆于硅氧化物而获得,所述硅氧化物是对倍半硅氧烷聚合物(以下称为PSQ)在非氧化性环境下进行热处理而获得,且由通式SiOxCyHz(0.5<x<1.8、0≤y<5、0≤z<0.4)表示,所述PSQ是使至少一种硅化合物进行水解及缩聚反应而获得,且具有下述式(1)的结构,在对所述硅氧化物被覆氧化钛后,在还原性气体环境下进行热处理;[化1](式中,R1及R4分别独立地为选自氢原子、碳数1~45的经取代或未经取代的烷基的群组、经取代或未经取代的芳基的群组及经取代或未经取代的芳烷基的群组中的基团;其中,在碳数1~45的烷基中,任意的氢可经卤素取代,任意的‑CH2‑在基团中的碳数不超过45的范围内可经‑O‑、‑CH=CH‑、亚环烷基或亚环烯基取代;在经取代或未经取代的芳烷基中的亚烷基中,任意的氢可经卤素取代,任意的‑CH2‑在基团中的碳数不超过45的范围内可经‑O‑、‑CH=CH‑或亚环烷基取代;R2、R3、R5及R6分别独立地为选自氢原子、碳数1~45的经取代或未经取代的烷基的群组、经取代或未经取代的芳基的群组及经取代或未经取代的芳烷基的群组中的基团;其中,在碳数1~45的烷基中,任意的氢可经卤素取代,任意的‑CH2‑在基团中的碳数不超过45的范围内可经‑O‑、‑CH=CH‑、亚环烷基、亚环烯基或‑SiR12‑取代;在经取代或未经取代的芳烷基中的亚烷基中,任意的氢可经卤素取代,任意的‑CH2‑在基团中的碳数不超过45的范围内可经‑O‑、‑CH=CH‑、亚环烷基、亚环烯基或‑SiR12‑取代;n表示1以上的整数)。
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