[发明专利]在逻辑及热点检验中使用Z层上下文来改善灵敏度及抑制干扰的系统及方法有效
申请号: | 201780035591.8 | 申请日: | 2017-06-16 |
公开(公告)号: | CN109314067B | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | P·K·佩拉利;李胡成 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示用于从晶片的缺陷扫描去除干扰数据的系统及方法。处理器接收具有一或多个z层的对应于晶片的设计文件。所述处理器接收所述晶片的临界区域且指示子系统捕获所述晶片的对应图像。接收缺陷位置且对准所述设计文件与所述缺陷位置。使用潜在缺陷位置及所述所对准设计文件的所述一或多个z层来识别干扰数据。所述处理器接着从所述一或多个潜在缺陷位置去除所述所识别干扰数据。 | ||
搜索关键词: | 逻辑 热点 检验 使用 上下文 改善 灵敏度 抑制 干扰 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于去除干扰数据的方法,其包括:在处理器处接收对应于晶片的设计文件,所述设计文件具有一或多个z层;在所述处理器处接收所述晶片的一或多个临界区域;指示图像数据获取子系统捕获对应于所述晶片的所述一或多个临界区域的一或多个图像;在所述处理器处接收对应于所述晶片的所述一或多个临界区域的所述一或多个图像中的一或多个潜在缺陷位置;使用所述处理器来对准所述设计文件与对应于所述晶片的所述一或多个临界区域的所述一或多个潜在缺陷位置;使用所述处理器以基于每一潜在缺陷位置及所述所对准设计文件的所述一或多个z层来识别所述一或多个潜在缺陷位置中的干扰数据;及使用所述处理器从所述一或多个潜在缺陷位置去除所述所识别干扰数据。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科磊股份有限公司,未经科磊股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780035591.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造