[发明专利]用于改善细胞转染和活力的纳米管阱插入设备有效
申请号: | 201780036077.6 | 申请日: | 2017-06-09 |
公开(公告)号: | CN109310629B | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | R·T·斯沃博达;Y·曹;S·李尔-欧迪兹;S·罗斯克特;N·A·米洛施 | 申请(专利权)人: | 小利兰斯坦福大学托管委员会 |
主分类号: | A61K9/10 | 分类号: | A61K9/10;A61K9/127;C12N5/07;C25D11/34 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈文平;侯宝光 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本文描述了纳米管阱插入装置(例如,设备和系统),其包括延伸通过膜且探出膜外的纳米管,使得在施加电能(例如,电穿孔能量)时材料可以从流体储存库中穿过膜并进入在纳米管上生长的细胞中。特别地,本文描述的设备、系统和方法可以适应于细胞生长活力和转染效率(例如,70%)。这些装置可以容易地整合到细胞培养工艺中,以改善转染效率、细胞内运输和细胞活力。 | ||
搜索关键词: | 用于 改善 细胞 转染 活力 纳米 插入 设备 | ||
【主权项】:
1.一种用于长期细胞生长和转染的纳米管细胞培养系统,所述系统包含:纳米管阱插入设备,其包含圆柱形壁、多个纳米管从其探出的膜;和生物相容性粘合剂,所述生物相容性粘合剂连接所述膜以横跨所述圆柱形壁的基部从而形成阱,其中所述纳米管探入所述阱中大于0.1微米;和适配器,其被构造为支持所述纳米管阱插入设备,所述适配器包含:包括基部电极的基部,其中所述基部被构造为牢固地支持所述纳米管阱插入装置的圆柱形壁,使得所述多个纳米管与基部电极上方的储存库流体连通;包括顶部电极的盖子,其中所述盖子被构造为与所述基部接合,使得当纳米管阱插入设备被保持在所述基部内时,所述顶部电极与所述基部电极分离,所述纳米管插入设备被封闭在它们之间;在所述适配器的外表面上的第一电触点,其中所述第一电触点与所述基部电极电连通;和在所述适配器的外表面上的第二电触点,其中所述第二电触点与所述顶部电极电连通。
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