[发明专利]适用于高级平面化应用的材料和旋涂方法在审
| 申请号： | 201780036256.X | 申请日： | 2017-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN109314042A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 德萨拉吉·瓦拉帕萨德;罗纳德·R·卡特桑斯;谢松元 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开提供了一种组合物，所述组合物包括树脂，所述树脂包括一种或多种硅基材料、一种或多种有机基材料、或硅基材料和有机基材料的组合。所述组合物还包括沸点为140℃至250℃的第一溶剂和沸点为50℃至110℃的第二溶剂，其中所述第一溶剂与所述第二溶剂的重量比为1∶1至1∶5。还提供了将所述涂层施用到基底上的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 有机基材料 第二溶剂 第一溶剂 硅基材料 沸点 树脂 高级平面 重量比 基底 旋涂 施用 应用 | ||
【主权项】：
1.一种组合物，包含：树脂，所述树脂包含一种或多种硅基材料、一种或多种有机基材料、或硅基材料和有机基材料的组合；至少一种第一溶剂，所述至少一种第一溶剂的沸点为140℃至250℃；以及至少一种第二溶剂，所述至少一种第二溶剂的沸点为50℃至110℃；其中所述第一溶剂与所述第二溶剂的重量比为1:1至1:5。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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