[发明专利]等离子体处理装置有效
申请号: | 201780036633.X | 申请日: | 2017-06-16 |
公开(公告)号: | CN109477221B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 中村文生;田丸义久;矢岛贵浩;加藤裕子;神保洋介;植喜信;冈野秀一;冈山智彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505;H01L21/3065;H01L21/31;H05H1/46 |
代理公司: | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人: | 魏彦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种能够实现缩短返回电流路径和确保对称性的等离子体处理装置。本发明的一实施方式涉及的等离子体处理装置具备腔室主体、载物台、高频电极、多个接地部件、可动单元。上述腔室主体具有侧壁,所述侧壁的一部分包括能够使基板通过的开口部。上述多个接地部件配置在上述载物台的周围,电连接上述侧壁与上述载物台之间。上述可动单元具有支撑体,所述支撑体支撑作为上述多个接地部件的一部分的第一接地部件。上述可动单元构成为,能够使上述支撑体在上述第一接地部件间隔上述开口部而与上述开口部的内周面对置的第一位置和上述第一接地部件电连接于上述内周面的第二位置之间移动。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,其特征在于,具备:腔室主体,具有侧壁,该侧壁的一部分包括能够使基板通过的开口部;载物台,具有能够支撑所述基板的支撑面,并设置在所述腔室主体的内部;高频电极,以与所述支撑面对置的方式配置,产生处理气体的等离子体;多个接地部件,配置在所述载物台的周围,电连接所述侧壁和所述载物台之间;可动单元,具有支撑体,该支撑体支撑作为所述多个接地部件的一部分的第一接地部件,所述可动单元能够使所述支撑体在第一位置与第二位置之间沿着与所述支撑面正交的轴方向移动,所述第一位置是使所述第一接地部件隔着所述开口部而与所述开口部的内周面对置的位置,所述第二位置是使所述第一接地部件与所述内周面电连接的位置。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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