[发明专利]半导体芯片封装件有效
申请号: | 201780037007.2 | 申请日: | 2017-05-16 |
公开(公告)号: | CN109314122B | 公开(公告)日: | 2023-06-16 |
发明(设计)人: | 重田博幸;西谷祐司 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/12;H04N25/70 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 该半导体芯片封装件设置有:半导体芯片,其具有第一表面、位于第一表面的相对侧上的第二表面、电路部、以及用于将电压供应至电路部的电极;树脂层,形成在半导体芯片的周围;基板,被配置成面向树脂层、以及半导体芯片的第一表面,并且具有透光特性;以及多个外部端子,设置在半导体芯片的第二表面一侧并且电连接至任意一个电极。 | ||
搜索关键词: | 半导体 芯片 封装 | ||
【主权项】:
1.一种半导体芯片封装件,包括:半导体芯片,所述半导体芯片具有相对的第一表面和第二表面,并且具有电路部和用于将电压供应至所述电路部的多个电极;树脂层,所述树脂层形成在所述半导体芯片的外围;以及基板,所述基板被配置成面向所述半导体芯片的所述第一表面以及所述树脂层,并且具有透光性;以及多个外部端子,所述多个外部端子设置在所述半导体芯片的第二表面一侧,所述多个外部端子中的每一个外部端子电耦接至所述多个电极中的任一电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的