[发明专利]绝热耦合的光学系统有效
| 申请号： | 201780037322.5 | 申请日： | 2017-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN109313311B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·马哈格里夫特;布赖恩·帕克 | 申请（专利权）人： | 菲尼萨公司 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/30 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种光学系统，包括硅(Si)衬底(102)、形成在衬底(102)上的隐埋氧化物(BOX)层(104)，形成在BOX层上方的氮化硅(SiN)层(112)，以及形成在SiN层(112)中的SiN波导(114)。在一些实施例中，光学系统可以另外包括绝热耦合到SiN波导(114)的中介层波导(116)，以形成SiN‑中介层绝热耦合器，其至少包括SiN波导的锥形部分，该光学系统还包括以下中的至少一个：至少在SiN‑中介层绝热耦合器下方形成在Si衬底中的空腔(402)或在SiN波导的SiN核心的顶部和中介层波导的底部之间形成的氧化物覆盖层(822)。可替换地或另外地，光学系统可以另外包括多模Si‑SiN绝热耦合器，其包括SiN波导的SiN锥形(1008)和Si波导的Si锥形(1006)。 | ||
| 搜索关键词： | 绝热 耦合 光学系统 | ||
【主权项】：
1.一种光学系统，包括：硅(Si)衬底；隐埋氧化物(BOX)层，其形成在所述Si衬底上；氮化硅(SiN)波导层，其形成在所述BOX层上方；SiN波导，其形成在所述SiN波导层中，所述SiN波导包括锥形部分；中介层波导，其绝热地耦合到所述SiN波导以形成SiN‑中介层绝热耦合器，该SiN‑中介层绝热耦合器至少包括所述SiN波导的所述锥形部分；及空腔，其至少在所述SiN‑中介层绝热耦合器下方形成在所述Si衬底中。
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