[发明专利]具有集成高对比度光栅偏振器的光电检测器设备有效
申请号: | 201780037616.8 | 申请日: | 2017-06-13 |
公开(公告)号: | CN109496364B | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
发明(设计)人: | 延斯·霍弗里希特;扬·埃嫩克尔 | 申请(专利权)人: | AMS有限公司 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 谢攀;刘继富 |
地址: | 奥地利普*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 光电检测器包括:半导体材料的衬底(1);衬底中的传感器区域(2);布置在传感器区域上方彼此相隔距离(d)的多个栅格元件(4),栅格元件具有折射率;低折射率区域(3),布置在低折射率区域上的栅格元件;以及覆盖栅格元件的另外的低折射率区域(5)。 | ||
搜索关键词: | 具有 集成 对比度 光栅 偏振 光电 检测器 设备 | ||
【主权项】:
1.一种光电检测器设备,包括:‑半导体材料的衬底(1),‑衬底(1)中的传感器区域(2),用于检测电磁辐射,‑多个栅格元件(4),其布置在传感器区域(2)的上方,彼此相隔距离(d),所述栅格元件(4)具有折射率,‑低折射率区域(3、6),所述栅格元件(4)布置在所述低折射率区域(3、6)上,以及‑另外的低折射率区域(5、15),其覆盖栅格元件(4)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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