[发明专利]宽带多模光纤的制造方法和用于其的纤芯预制件在审
| 申请号： | 201780037667.0 | 申请日： | 2017-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN109311727A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | D·C·布克宾德;李明军;P·坦登 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | C03B37/014 | 分类号： | C03B37/014 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐鑫;项丹 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 制造多模光纤的方法，其包括：沉积多孔氧化锗掺杂的二氧化硅烟炱，以形成氧化锗掺杂的多孔烟炱预制件；在多孔烟炱预制件上沉积多孔二氧化硅层；用氟掺杂剂对多孔烟炱预制件和多孔二氧化硅层进行掺杂，以形成共掺杂的烟炱预制件，所述共掺杂的烟炱预制件具有纤芯区域和氟掺杂的(任选地，凹陷)区域；对共掺杂的烟炱预制件进行固结，以形成经烧结玻璃共掺杂纤芯预制件，其在850nm测得的折射率α分布是1.9至2.2；在烧结玻璃共掺杂纤芯预制件上沉积包含二氧化硅的包覆，以形成多模光纤预制件；将光纤预制件拉制成多模光纤。考虑掺杂温度，优选至少1250℃，氟掺杂剂分压和烟炱预制件的径向厚度，调节氟掺杂参数。 | ||
| 搜索关键词： | 烟炱预制件 共掺杂 纤芯预制件 多模光纤 沉积 多孔二氧化硅层 氟掺杂剂 烧结玻璃 掺杂的 氟掺杂 氧化锗 掺杂 二氧化硅烟炱 宽带多模光纤 光纤预制件 二氧化硅 纤芯区域 预制件 折射率 凹陷 包覆 分压 固结 优选 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造用于多模光纤的共掺杂纤芯预制件的方法，其包括：沉积包含氧化锗掺杂的二氧化硅的多孔烟炱，以形成氧化锗掺杂的多孔烟炱预制件；在炉中，用氟掺杂剂对氧化锗掺杂的多孔烟炱预制件进行掺杂，以形成共掺杂的烟炱预制件；和对共掺杂的烟炱预制件进行固结，以形成经烧结玻璃共掺杂的纤芯预制件，其折射率α分布是1.9至2.2，这是在850nm测得的，其中，用氟掺杂剂对氧化锗掺杂的烟炱预制件进行掺杂的步骤的执行使得掺杂参数Φ是20至300(cm2·K(1/2))/atm(3/4)，其由如下给出：![]()
式中，Tdop是掺杂温度，x是在掺杂步骤期间，炉(气氛)中的氟掺杂剂的分压，E是氟掺杂步骤的活化能，R是通用气体常数，E/R＝55750开尔文度，以及Rpre是氧化锗掺杂的多孔烟炱预制件的径向厚度。
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