[发明专利]气体配管系统、化学气相生长装置、成膜方法和SiC外延晶片的制造方法

摘要

该气体配管系统是向在内部进行气相生长的反应炉供给多种气体的运行放气方式的气体配管系统，其具备：将上述多种气体分别送入的多条供给管线，从上述反应炉的排气口向排气泵连接的排气管线，具备从上述多条供给管线分别分支、并向上述反应炉供给上述多种气体的1个或多个配管的运行管线，从上述多条供给管线分别分支、并与上述排气管线连接的多条放气管线，以及分别设置在上述多条供给管线的分支点、并将向运行管线侧流通气体或向放气管线侧流通气体进行切换的多个阀；上述多条放气管线被分离直到达到上述排气管线，上述排气管线的内径大于上述多条放气管线各自的内径。

主权项

1.一种气体配管系统，是向在内部进行气相生长的反应炉供给多种气体的运行放气方式的气体配管系统，其具备：将所述多种气体分别送入的多条供给管线，从所述反应炉的排气口向排气泵连接的排气管线，具备从所述多条供给管线分别分支、并向所述反应炉供给所述多种气体的1个或多个配管的运行管线，从所述多条供给管线分别分支，并与所述排气管线连接的多条放气管线，以及分别设置在所述多条供给管线的分支点，并将向运行管线侧流通气体或向放气管线侧流通气体进行切换的多个阀；所述多条放气管线被分离直到达到所述排气管线，所述排气管线的内径大于所述多条放气管线各自的内径。