[发明专利]带有至少两个叠置的导体路径层的导体路径结构有效
申请号: | 201780038143.3 | 申请日: | 2017-05-10 |
公开(公告)号: | CN109315064B | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | F·莫根塔勒;S·卡尔克 | 申请(专利权)人: | 立联信控股有限公司 |
主分类号: | H05K1/11 | 分类号: | H05K1/11;H05K3/20;G06K19/077;H01L23/498;H05K3/00;H05K3/32 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 刘盈 |
地址: | 法国曼*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种导体路径结构、尤其是用于智能卡应用的引线框架的导体路径结构,其包括具有多个第一导体路径的至少一个第一导体路径层和具有多个第二导体路径的至少一个第二导体路径层,叠置的导体路径层由绝缘体分开,第一导体路径层的至少一个第一导体路径具有至少一个贯穿它们的接合口,接合线可穿过所述接合口并且与第二导体路径层的导体路径导电接触,并且第一导体路径层的至少两个相邻的导体路径通过缝槽彼此分开并且至少两个相邻的导体路径通过另外的缝槽彼此分开。根据本发明规定,分离第一导体路径层的相邻导体路径的缝槽和分离第二导体路径层的相邻导体路径的另外的缝槽彼此错开布置。 | ||
搜索关键词: | 带有 至少 两个 导体 路径 结构 | ||
【主权项】:
1.导体路径结构、尤其是用于智能卡应用的引线框架的导体路径结构,所述导体路径结构包括至少一个具有多个第一导体路径(11;11a‑11f)的第一导体路径层(10)和至少一个具有多个第二导体路径(21;21a‑21f)的第二导体路径层(20),叠置的导体路径层(10、20)由绝缘体(30)分开,第一导体路径层(10)的至少一个第一导体路径(11;11a、11b、11c、11d、11f)具有至少一个贯穿所述第一导体路径的键合口(12;12a‑12e),键合线能穿过所述键合口并且与第二导体路径层(20)的导体路径(21;21a‑21f)导电接触,并且第一导体路径层(10)的至少两个相邻的导体路径(11;11a、11b;11b、11c;11d、11e;11e、11f)通过缝槽(13;13a‑13i)彼此分开并且至少两个相邻的导体路径(21a、21b;21b、21c;21d、21e;21e、21f)通过另外的缝槽(23、23a‑23e)彼此分开,其特征在于,分离第一导体路径层(10)的相邻导体路径(11;11a、11b、11c、11d、11f)的缝槽(13;13a‑13i)和分离第二导体路径层(20)的相邻导体路径(21;21a‑21f)的另外的缝槽(13;13a‑13i或23;23a‑23e)彼此错开布置。
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