[发明专利]LAG-3结合元件有效
| 申请号： | 201780038556.1 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN109311993B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 密里班·图纳;弗朗西斯卡·沃尔顿·范·霍克;凯蒂·露易丝·埃弗雷特;米盖尔·加斯帕;马修·克莱默;凯塔瑞纳·卡米艾克;娜塔莉·福什 | 申请（专利权）人： | F-星治疗有限公司 |
| 主分类号： | C07K16/28 | 分类号： | C07K16/28;A61P35/00;A61K39/00 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 车今智 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种结合到淋巴细胞活化基因3(LAG‑3)的特异性结合元件。所述特异性结合元件优选地包括LAG‑3抗原结合位点，所述LAG‑3抗原结合位点可以位于所述特异性结合元件的CH3结构域的两个或更多个结构环中。本发明的特异性结合元件可以用于例如癌症治疗。 | ||
| 搜索关键词： | lag 结合 元件 | ||
【主权项】：
1.一种结合到淋巴细胞活化基因3(LAG‑3)的特异性结合元件，其包括位于所述特异性结合元件的CH3结构域中的LAG‑3抗原结合位点，其中所述LAG‑3结合位点包括氨基酸序列WDEPWGED(SEQ ID NO：1)和PYDRWVWPDE(SEQ ID NO：3)，且其中所述氨基酸序列WDEPWGED位于所述CH3结构域的第一结构环中，且所述氨基酸序列PYDRWVWPDE位于所述CH3结构域的第二结构环中。
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