[发明专利]晶片对准方法和系统

摘要

晶片通过参考形成于各晶片上或中的特征彼此对准。凹口在各晶片中形成，包括允许两点接触的枢转凹口和提供单点接触的止动凹口。偏置凹口被形成用于将所述晶片按压成当双接触元件在枢转凹口中时与双接触元件接合，且当单接触元件在止动凹口中时与单接触元件接合。晶片可彼此结合以维持所参考特征的对准。

主权项

1.一种方法，其包括：参考形成于第一晶片上或第一晶片中的第一特征，在所述第一晶片中形成第一枢转凹口、第一止动凹口和第一偏置凹口；参考形成于第二晶片上或第二晶片中的第二特征，在所述第二晶片中形成第二枢转凹口、第二止动凹口和第二偏置凹口；将所述第一晶片安装在对准装置中，其中双接触元件进入到所述第一枢转凹口中，且单接触元件进入所述第一止动凹口；将所述第二晶片安装在所述对准装置中，其中所述双接触元件进入到所述第二枢转凹口中，且所述单接触元件进入所述第二止动凹口；及将偏置力施加到所述第一偏置凹口的表面和所述第二偏置凹口的表面上，以使所述第一特征与所述第二特征对准。