[发明专利]一种铜基硫族化物光伏器件及其形成方法有效
申请号: | 201780039014.6 | 申请日: | 2017-06-21 |
公开(公告)号: | CN109729745B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 郝晓静;刘芳洋;黄嘉亮;颜畅;孙凯文;马丁·安德鲁·格林 | 申请(专利权)人: | 新南创新私人有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032;H01L31/072;H01L31/0749;H01L21/02 |
代理公司: | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人: | 徐迅;马莉华 |
地址: | 澳大利亚新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种用于形成光伏器件的方法,包括步骤:在基板上提供第一导电材料;在所述第一导电材料上沉积小于10nm厚的介电材料的连续层;退火所述第一导电材料和所述介电材料层;在所述介电材料层上形成硫族化物光吸收材料;和在所述光吸收材料上沉积第二材料,以使得所述第二材料电耦合至所述光吸收材料;其中,所述第一导电材料和所述介电材料被选择以使得:在退火步骤期间,所述第一导电材料的一部分经历化学反应以形成:在第一导电材料和介电材料之间的界面处的金属硫族化物材料层;和所述介电材料层中的多个空缺;所述空缺就是这样以允许所述光吸收材料和所述金属硫属化物材料层之间的电耦合。另外考虑的是通过该方法形成的光伏器件。 | ||
搜索关键词: | 一种 铜基硫族化物光伏 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于形成光伏器件的方法,包括步骤:在基板上提供第一导电材料;在所述第一导电材料上沉积介电材料的连续层,所述层薄于10nm;退火所述第一导电材料和所述介电材料层;在所述介电材料层上形成硫族化物光吸收材料;和在所述光吸收材料上沉积第二材料,以使得所述第二材料电耦合至所述光吸收材料;其中,所述第一导电材料和所述介电材料被选择以使得,在退火步骤期间,所述第一导电材料的一部分经历化学反应以形成:在第一导电材料和所述介电材料之间的界面处的一层金属硫族化物材料;和所述介电材料层中的多个空缺;所述空缺就是这样以允许所述光吸收材料和所述金属硫属化物材料层之间的电耦合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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