[发明专利]半导体器件和包括半导体器件的半导体器件封装有效
| 申请号： | 201780039190.X | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN109417112B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 崔洛俊;金炳祚;吴炫智;洪埩熀 | 申请（专利权）人： | 苏州乐琻半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/22;H01L33/36;H01L33/48;H01L33/14;H01L33/62 |
| 代理公司： | 苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502 | 代理人： | 滕锦林 |
| 地址： | 215499 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施例涉及半导体器件、半导体器件封装和用于制造半导体器件的方法，该半导体器件包括发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、布置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层、以及布置在第一导电半导体层和有源层之间或者布置在第一导电半导体层内部的中间层，其中第一导电半导体层、中间层、有源层、第二导电半导体层包括铝，并且中间层包括具有比第一导电半导体层的铝组分低的铝组分的第一中间层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 包括 封装 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、有源层和中间层，所述有源层被布置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间，所述中间层被布置在所述第一导电半导体层和所述有源层之间或者被布置在所述第一导电半导体层内部，其中，所述第一导电半导体层、所述中间层、所述有源层和所述第二导电半导体层包括铝；以及所述中间层包括第一中间层，所述第一中间层具有比所述第一导电半导体层的铝组分低的铝组分。
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