[发明专利]具有厚壳包覆的稳定INP量子点及其制备方法在审
| 申请号： | 201780039361.9 | 申请日： | 2017-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN109642149A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | C·伊彭;Y·A·乔;王春明;阚世海;郭文卓;I·珍-拉·普兰特 | 申请（专利权）人： | 纳米系统公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/56;C09K11/70;C09K11/88 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈文平;吕小羽 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了高度发光的纳米结构，特别是包括纳米晶核及多个ZnSe和ZnS厚壳的高度发光量子点。纳米结构可在这些ZnSe和ZnS壳之间具有一个或多个梯度ZnSexS1‑x单层，其中x的值从纳米结构的内部向外部逐渐减小。还提供了制备纳米结构的方法，其包括高温合成方法。本发明的厚壳纳米结构显示出增加的稳定性并且能够在长时间内保持高水平的光致发光强度。还提供了具有增加的蓝光吸收的纳米结构。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米结构 厚壳 制备 发光量子点 高温合成 纳米晶核 逐渐减小 包覆的 量子点 单层 蓝光 发光 外部 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种多层纳米结构，所述多层纳米结构包括核和至少两个壳，其中至少两个所述壳包含不同的壳材料，并且其中至少一个所述壳的厚度在0.7nm至3.5nm之间。
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