[发明专利]半导体装置、摄像装置及半导体装置制造方法在审
| 申请号： | 201780039505.0 | 申请日： | 2017-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN109328395A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 川岛宽之 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/308;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 乔焱;曹正建 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | [问题]为了提供：半导体装置，其中保持机械强度和可靠性，同时通过空隙减小配线间电容；摄像装置；及半导体装置制造方法。[解决方案]公开了半导体装置，其设置有：多层配线层，在所述多层配线层中，绝缘层和防扩散层交替层叠着，并且所述多层配线层内设置有配线；通孔，所述通孔是通过从所述多层配线层的一个表面穿透一个或多个绝缘层而被设置的，并且所述通孔的内侧覆盖有保护侧壁；及空隙，所述空隙被设置在一个或多个绝缘层中，所述空隙设置在所述通孔正下方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 多层配线 绝缘层 通孔 摄像装置 配线 防扩散层 交替层叠 空隙设置 电容 侧壁 减小 制造 穿透 覆盖 | ||
【主权项】：
1.半导体装置，其包括：多层配线层，在所述多层配线层中，绝缘层和防扩散层交替层叠着，并且所述多层配线层内设置有配线层；通孔，所述通孔被设置成从所述多层配线层的一个表面穿透至少一个或多个绝缘层，并且所述通孔的内部覆盖有保护侧壁；以及空隙，所述空隙被设置在位于所述通孔正下方的至少一个或多个绝缘层中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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