[发明专利]用于生产经涂布的半导体晶片的方法和装置在审
| 申请号： | 201780040481.0 | 申请日： | 2017-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN109415840A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | J·哈贝雷希特 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B25/14 | 分类号： | C30B25/14;C23C16/44;C23C16/455 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于生产经涂布的半导体晶片的方法，其包括：将工艺气体经由第一气体入口沿着第一流动方向引入反应器腔室中并流经半导体材料的衬底晶片，以便在所述衬底晶片上沉积层，所述衬底晶片位于基座上，其中来自所述工艺气体的材料沉积在预热环上，所述预热环围绕所述基座布置；和包括从所述反应器腔室中取出经涂布的衬底晶片；特征在于，在从所述反应器腔室取出经涂布的衬底晶片之后，经由第一气体入口沿着第一流动方向将蚀刻气体引入所述反应器腔室中，并经由第二气体入口沿着与所述第一流动方向相交的另外的流动方向将蚀刻气体引入所述反应器腔室中，蚀刻气体流经所述预热环，由此从所述预热环去除所述材料沉淀，所述第一气体入口布置在所述第二气体入口之间。 | ||
| 搜索关键词： | 反应器腔室 衬底晶片 气体入口 预热环 蚀刻气体 半导体晶片 工艺气体 流动 引入 取出 半导体材料 方法和装置 材料沉积 沉积层 去除 沉淀 相交 生产 | ||
【主权项】：
1.生产经涂布的半导体晶片的方法，其包括：将工艺气体经由第一气体入口沿着第一流动方向引入反应器腔室中，并流经半导体材料的衬底晶片，以便在所述衬底晶片上沉积层，所述衬底晶片位于基座上，其中来自所述工艺气体的材料沉积在预热环上，所述预热环围绕所述基座布置；和从所述反应器腔室中取出经涂布的衬底晶片；在从所述反应器腔室取出经涂布的衬底晶片之后，包括：经由第一气体入口沿着第一流动方向将蚀刻气体引入所述反应器腔室中，以及经由第二气体入口沿着与所述第一流动方向相交的另外的流动方向将蚀刻气体引入所述反应器腔室中，蚀刻气体流经所述预热环，由此从所述预热环去除所述材料沉淀，所述第一气体入口布置在所述第二气体入口之间。
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