[发明专利]单晶硅的制造方法在审
| 申请号： | 201780040672.7 | 申请日： | 2017-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN109415843A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 斋藤康裕;最胜寺俊昭;田边一美 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00;C30B15/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 童春媛;杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 对于规定的制造条件，预先求出通过CZ法提拉时的单晶(C)的直径(D)、施加于熔液(M)的水平磁场强度(G)、提拉时的单晶(C)的结晶旋转速度(V)以及晶圆外周部的氧浓度的分布特性(δ)之间的相互关系；从前述晶圆外周部的氧浓度的分布特性的极限值、前述水平磁场强度的极限值、前述提拉时的单晶的结晶旋转速度的极限值以及前述相互关系，求出提拉时的单晶的最小直径；将该求出的最小直径作为目标直径，在前述规定的制造条件下制造单晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶 提拉 单晶硅 分布特性 水平磁场 制造条件 外周部 晶圆 熔液 制造 施加 | ||
【主权项】：
1.单晶硅的制造方法，其中，对于规定的制造条件，预先求出通过CZ法提拉时的单晶的直径、施加于熔液的水平磁场强度、提拉时的单晶的结晶旋转速度以及晶圆外周部的氧浓度的分布特性之间的相互关系；从前述晶圆外周部的氧浓度的分布特性的极限值、前述水平磁场强度的极限值、前述提拉时的单晶的结晶旋转速度的极限值以及前述相互关系，求出提拉时的单晶的最小直径；将该求出的最小直径作为目标直径，在前述规定的制造条件下制造单晶硅。
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