[发明专利]晶圆的沟槽特征上的保护性涂层及其制造方法有效
申请号: | 201780040755.6 | 申请日: | 2017-06-27 |
公开(公告)号: | CN109311660B | 公开(公告)日: | 2023-10-03 |
发明(设计)人: | M.VA.苏万托 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;H01L21/78 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 毕铮;申屠伟进 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了一种用于保护晶圆免受由于对所述晶圆进行切割、分割或处理而导致的潮湿和碎屑的涂层。一种半导体传感器设备包括:具有表面和至少一个沟槽特征的晶圆,以及覆盖所述沟槽特征的保护性涂层。所述沟槽特征包括多个壁,并且用所述保护性涂层覆盖所述多个壁,其中所述沟槽特征的所述多个壁形成为所述半导体传感器设备的部分。所述半导体传感器设备进一步包括在形成所述沟槽特征之前在所述晶圆上形成的图案化掩膜,其中所述保护性涂层直接形成到所述沟槽特征和所述图案化掩膜。所述半导体传感器设备是从下述各项组成的组中选择的:MEMS管芯、传感器管芯、传感器电路管芯、电路管芯、压力管芯、加速度计、陀螺仪、麦克风、扬声器、换能器、光学传感器、气体传感器、辐射热测量计、巨型磁阻传感器(GMR)、隧道磁阻(TMR)传感器、环境传感器和温度传感器。 | ||
搜索关键词: | 沟槽 特征 保护性 涂层 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种保护晶圆免受由于对所述晶圆进行切割、分割或处理而导致的潮湿和碎屑的方法,包括:在所述晶圆上形成至少一个沟槽特征;在所述沟槽特征上应用保护性涂层;以及沿着所述沟槽特征将所述晶圆切割成多个管芯;其中所述保护性涂层是疏水性自组装单分子层(SAM)。
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