[发明专利]高深宽比圆筒蚀刻的沉积侧壁钝化技术在审
| 申请号： | 201780040804.6 | 申请日： | 2017-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN109417030A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 埃里克·A·赫德森 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/02;H01L21/67;H01J37/32;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文的各种实施方案涉及用于在半导体衬底上的电介质材料中形成凹陷特征的方法、装置和系统。以循环方式采用单独的蚀刻和沉积操作。每次蚀刻操作都部分地蚀刻该特征。每个沉积操作在特征的侧壁上形成保护涂层，以防止在蚀刻操作期间对电子材料的横向蚀刻。保护涂层可以使用导致沿着侧壁的基本上整个长度形成保护涂层的方法沉积。在一些实施方案中，保护涂层可以使用具有低粘着系数的特定反应物来沉积。保护涂层还可以使用导致基本上完整的侧壁涂层的特定反应机制来沉积。在一些情况下，使用等离子体辅助原子沉积或等离子体辅助化学气相沉积来沉积保护涂层。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 沉积 侧壁 等离子体辅助化学气相沉积 沉积保护涂层 等离子体辅助 电介质材料 操作期间 侧壁钝化 侧壁涂层 电子材料 反应机制 高深宽比 横向蚀刻 循环方式 原子沉积 反应物 凹陷 衬底 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种在包含介电材料的衬底中形成蚀刻特征的方法，所述方法包括：(a)生成包含蚀刻反应物的第一等离子体，将所述衬底暴露于所述第一等离子体，并且部分地蚀刻所述衬底中的所述特征；(b)在(a)之后，预处理所述衬底以在所述特征的侧壁上形成活化的表面基团；(c)在(b)开始之后，在所述特征的侧壁上沉积保护膜，其中所述保护膜沉积为自组装单层膜；以及(d)重复(a)‑(c)直到将所述特征蚀刻到最终深度，其中在(c)中沉积的所述保护膜在(a)期间基本上防止了对所述特征的横向蚀刻，并且其中所述特征在其最终深度处具有约5或更大的深宽比。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
