[发明专利]狄拉克半金属结构在审
| 申请号： | 201780041051.0 | 申请日： | 2017-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN109417092A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·西尔斯·富雷尔;约翰·特里·赫勒斯泰特;马克·托马斯·埃德蒙兹;詹姆斯·李·理查德·杰西·科林斯;刘畅 | 申请（专利权）人： | 莫纳什大学 |
| 主分类号： | H01L29/68 | 分类号： | H01L29/68;H01L51/05;H01L21/36 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 王晖;许洪洁 |
| 地址： | 澳大利亚*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
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| 摘要： | 本发明涉及狄拉克半金属、调制狄拉克半金属中的电荷承载密度和/或带隙的方法、包括狄拉克半金属层的器件以及在衬底上形成狄拉克半金属层的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半金属 半金属层 电荷 衬底 带隙 调制 承载 | ||
【主权项】：
1.一种更改拓扑狄拉克半金属中电荷载流子密度的方法，所述方法包括：提供结构，所述结构包括：导体，绝缘层，通过至少所述绝缘层与所述导体分离的拓扑狄拉克半金属层，接触所述拓扑狄拉克半金属层的至少一个电极；以及相对于所述至少一个电极向所述导体施加电压以使所述拓扑狄拉克半金属层的至少一部分经受电场以更改所述拓扑狄拉克半金属层的所述电荷载流子密度。
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